德國Hellma氟化鈣（CaF?）在半導體微光刻中作為關鍵光學材料，憑借其從深紫外到紅外的高寬帶透射率、低折射率、低光譜色散及優(yōu)異的激光耐久性，成為投影和照明光學中準分子激光光學器件的行業(yè)標準材料，支撐7nm及以下制程芯片制造。

　　核心技術壁壘與質(zhì)量控制

　　單晶生長：布里奇曼法制備低缺陷、高均勻性單晶，氧/金屬雜質(zhì)≤1ppm，減少散射與吸收損耗。

　　精密加工：亞納米級表面粗糙度、無應力拋光，控制雙折射與波前畸變。

　　激光耐久性：193/248nm準分子激光長期輻照（>109脈沖）無損傷，適配光刻機高產(chǎn)能需求。

　　定制能力：按NA、波長、接口定制尺寸/取向/鍍膜，匹配光刻機設計。

　　在半導體微光刻中的應用

　　投影和照明光學：Hellma氟化鈣作為投影和照明光學中準分子激光光學器件的行業(yè)標準材料，被廣泛應用于半導體制造中的光刻機物鏡系統(tǒng)。其優(yōu)異的光學性能確保了光刻過程中激光的高效傳輸和精準聚焦，從而實現(xiàn)了納米級芯片圖案的曝光。

　　深紫外光刻系統(tǒng)：在193nm光刻機中，Hellma氟化鈣用于光刻物鏡，配合193nm準分子激光實現(xiàn)納米級的芯片圖案曝光。其低吸收與高均勻性保障了光刻分辨率，是45nm及以下節(jié)點制程的關鍵材料。

　　DUV激光器：Hellma氟化鈣還用于準分子激光器（如ArF，波長193nm）的輸出窗口，可承受高頻次、高強度激光照射，確保激光器的穩(wěn)定運行和長壽命。

　　供應鏈與選型要點

　　供應鏈定位：光刻級CaF?核心供應商，供應ASML等頭部設備商，高市場占比約35%。

　　選型建議：

　　193nmArFi選Lithotec®光刻級+增透膜，嚴控雙折射與表面缺陷。

　　248nm選標準光刻級，平衡成本與性能。

　　真空窗口選低放氣率+抗輻射級，適配腔體環(huán)境。

　　HellmaMaterials半成品的優(yōu)勢：

　　材料尺寸的靈活性：為您的具體需求量身定制解決方案。

　　優(yōu)化性能：實現(xiàn)高的光學精度和效率。

　　可靠性：信任經(jīng)過驗證且使用壽命長的材料。

　　質(zhì)量控制：所有測量技術均在內(nèi)部進行，包括激光實驗室。